半导体保护熔断器及直流熔断器的选型指南

选型指南
半导体保护熔断器及直流熔断器的选型指南
半导体保护榕断器是专为功率半导体器件如 GBT、IGCT、GTO、SCR 等提供保护的快速熔断器，半导体产品非常品进，但承受过载能力却非常有限。因此，必须制造过载更灵敏，分断更迅速的熔断器对其提供保护。
相对于传统的熔断器，半导体保护熔断器具有较低的工 及弧电压。其设计符合标准 EC60269-4，常被成为“局部范围”或“后备”保护熔断器，现归类为“迟” 型熔断器。随着被保护产品功率的提高及性能的发展，“全范围”保护熔断器的使用需求明声越来越高。因此，2002 年“eR”和“eS”两类具有全范围分断能力的培断器划分到了TEC 60269-4 中。其中，ER 类在低I上占优势，而 es 类在低功率耗方面占优势。
下图是典型的半导体保护熔断器示意图。熔体由片状纯银带构成。近年来，一些制造商也致力于采取铜银复合带作为替代品。这些片状培体在狭径部分为银，链接部位是铜。培体焊接在触刀上，而熔体与石英砂都处于管体内部。管体和两端益板构成个封闭的空间灭弧。

额定电压 Un
（1）IEC 规定熔断器交流电压在额定电压的 110%，功率因素在 10-20%进行测试1
（2）UL 标准规定所有熔断器在额定电压，功率因素在 15-20%进行测试。
（3）在AC/DC设备中,如6相整流桥中,如果发生短路,DC端的电压在瞬间增加在AC端,故此时保险丝的额定电压须为UD21.8Uac

电弧电压 UL
熔断器培断时将产生电弧电压，电弧电压峰值一般为故障电路电压(RS)的 2 倍，最高不超过 2.5 倍。不应超过半导体元件的瞬态阻断电压。